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研究了部分耗尽绝缘体上的硅(PDSOI)SCR结构ESD特性，提出了一种新的SCR结构，并测试出了其ESD，1-V特性和抗闩锁性能。该结构通过采......
阐述了CMOS芯片内部产生“闩锁”效应的机理及其危害;提出了一种CMOS芯片外围保护电路的设计方法,目的在于尽量避免CMOS芯片发生“......
高压(high-voltage,HV)集成电路已经广泛应用于开关电源、电源管理、汽车电子产品以及驱动电路等应用上,这使得越来越多便携式消费......
学位
静电放电(ESD)对集成电路(IC)及电子产品的影响日益不容忽视。随着Bipolar-CMOS-DMOS(BCD)工艺的快速发展与高压IC应用领域的扩大,......
学位
根据星载电子设备CMOS电路中现场可编程逻辑阵列(FPGA)闩锁的发生机理,提出了输入/输出回路的抗锁定、二次屏蔽防止单粒子触发锁定......
研究了一种新的IGBT发射极元胞,并给出其设计方法。该元胞在不影响单位面积有效沟道宽度的情况下,将源衬底的P+区与源N+区并排垂直......
新型功率器件——绝缘栅双极型晶体管(IGBT)广泛应用于智能电网、电动汽车、高速铁路、家电产品和工业控制等领域,目前全球市场的I......
单芯片智能功率模块是将各种高、低压电路,例如逻辑控制电路、芯片保护电路、输出电路以及高压横向绝缘栅双极型晶体管等集成在同......
闩锁效应是CMOS电路中最为严重的失效机理之一,在Vdd和Vss之间产生大电流,从而造成电路失效,严重的会造成电路自我烧毁。介绍了闩......
